Pós-Doutorado em Ciências dos Materiais com Bolsa da FAPESP
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Pós-Doutorado em Ciências dos Materiais com Bolsa da FAPESP
O Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais (CDMF), um dos Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão (CEPIDs) da FAPESP, oferece uma oportunidade
01NOV2016| 15.37 José A Santilli - Agência Fapesp
Agência FAPESP – O Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais (CDMF), um dos Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão (CEPIDs) da FAPESP, oferece uma oportunidade de Pós-Doutorado em Ciências dos Materiais com bolsa da Fundação. O prazo de inscrição encerra em 4 de novembro.
O bolsista atuará junto à equipe do Instituto de Química da Universidade Estadual Paulista (Unesp), em Araraquara, que realiza estudo detalhado sobre a influência da modulação do sinal elétrico sobre a performance de dispositivos sensores de gás de junção p-n baseados em nanoestruturas semicondutoras 1D.
O projeto utiliza nanoestruturas com diferentes estequiometrias do óxido de estanho (SnO2, SnO e Sn3O4) e óxido de cobre (CuO e Cu2O) para projetar um elemento sensor cruzado a fim de construir dispositivos constituídos por (a) apenas um canal-n; (b) apenas um canal-p; e (c) multicanais em um único dispositivo. As propriedades de sensor de gás dos dispositivos serão analisadas após exposição a baixas concentrações (no intervalo de ppm) de gases oxidantes e redutores em diferentes temperaturas de operação utilizando sistemas de aquecimento externo e de self-heating.
O maior desafio deste trabalho será construir e caracterizar um novo e sofisticado dispositivo sensor de gás “3 em 1” (formado pela intersecção de duas nanoestruturas cruzadas) com um design especial que permita estudar simultaneamente, em um único dispositivo, as propriedades sensoras de três canais de forma independente.
O foco do trabalho será a compreensão de como otimizar as suas respostas como sensor de gás, permitindo o desenvolvimento de novos dispositivos eletrônicos multifuncionais de alto desempenho com potencial para serem utilizados como sensores químicos.
Os candidatos devem ter experiência com Focus Ion Beam e estudos de sensor de gás em semicondutores.
Os interessados devem enviar carta de interesse, curriculum vitae resumido, contendo grau acadêmico, publicações e documentos comprovando experiência na área, além de duas cartas de recomendação para Marcelo Ornaghi Orlandi, pesquisador principal do projeto, no endereço orlandi@iq.unesp.br.
A oportunidade está publicada no endereço www.fapesp.br/oportunidades/1282/.
O selecionado receberá bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP no valor de R$ 6.819,30 mensais e Reserva Técnica. A Reserva Técnica da bolsa de PD equivale a 15% do valor anual da bolsa e tem o objetivo de atender a despesas imprevistas e diretamente relacionadas à atividade de pesquisa.
Caso o bolsista resida em domicílio diferente e precise se mudar para a cidade onde se localiza a instituição-sede da pesquisa, poderá ter direito a um Auxílio-Instalação, composto por uma mensalidade adicional e despesas de transporte, quando houver deslocamento por distância superior a 350 quilômetros. Esse benefício precisa ser aprovado pela FAPESP.
Mais informações sobre a bolsa de Pós-Doutorado da FAPESP estão disponíveis em fapesp.br/bolsas/pd.
Outras vagas de bolsas de Pós-Doutorado, em diversas áreas do conhecimento, estão no site FAPESP-Oportunidades.
